優(yōu)質(zhì)氮化鎵外延片供應商 —— 擁有MOCVD外延生長設備5臺，可直接提供2~8英寸微波射頻/電力電子應用GaN外延材料，年產(chǎn)能GaN外延片3000片。 |
 | 硅基氮化鎵外延片 GaN-on-silicon 4-8inch 硅基氮化鎵外延片，可滿足電力電子級射頻功率器件應用 |
 | 多種襯底氮化鎵外延片 Multiple substrate Gan epitaxial wafers 碳化硅、藍寶石、氮化鎵等多種類型襯底的氮化鎵外延片 |
 | GaN電力電子器件 GaN power electronic devices 650V~1200V，10A-40A氮化鎵電力電子器件。 |
實力雄厚的氮化鎵制造專家
安徽進步半導體科技有限公司
以西安電子科技大學蕪湖研究院現(xiàn)有人才、技術、研發(fā)平臺為基礎，結(jié)合郝院士團隊在氮化鎵領域的業(yè)務布局和發(fā)展需求，成立安徽進步半導體科技有限公司。以氮化鎵材料、器件研發(fā)和應用為主營業(yè)務，開展氮化鎵外延片、氮化鎵功率器件研發(fā)制造與銷售、軟件開發(fā)、技術服務、技術支持、技術轉(zhuǎn)讓、技術支持、技術推廣等業(yè)務，注冊于蕪湖高新區(qū)，注冊資金1000萬元。
產(chǎn)品的穩(wěn)定，
才對得起客戶的信賴
多年氮化鎵研究制造經(jīng)驗-西電蕪研院子公司
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了解更多產(chǎn)品：
13709045792
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質(zhì)量穩(wěn)定，性能突出
外延材料技術優(yōu)秀
關鍵指標優(yōu)秀
核心技術，提升價值
擁有多項核心技術獲多項授權(quán)專利，并發(fā)表多項公開論文及高水平專著
全面評估，歷經(jīng)測試
依托西安電子科技大學蕪湖研究院，建設氮化鎵功率器件可靠性測試平臺，具備氮化鎵外延片及功率器件全參數(shù)的測量機極端環(huán)境可靠性評估能力。
自行研發(fā)，更新迭代
整合培訓技術團隊，通過對氮化鎵外延片結(jié)構(gòu)的設計、制造、更新迭代，完成應用于工業(yè)級的氮化鎵產(chǎn)品的設計、研制、性能調(diào)試和定型。
高質(zhì)量功率/射頻硅基氮化鎵外延片4~8英寸
氮化鎵同質(zhì)襯底外延片
藍寶石襯底氮化鎵外延片
碳化硅襯底氮化鎵外延片
GaN電力電子器件
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產(chǎn)品已經(jīng)在華為、中興、國聯(lián)萬眾、廈門三安實現(xiàn)應用，目前主要客戶有西電廣州研究院、蘇州納維、西電、中科大等。
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安徽進步半導體科技有限公司
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Tel/聯(lián)系電話：18755359118
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